氧化锌厂经过热处理来增强氧化锌中的氮掺杂的研究工作现已打开。运用光致电子顺磁共振技能（EPR），并在空气或许氮气氛下在600-900温度范围内退火，在运用该方法制备的氮掺杂氧化锌晶体中，调查到了氮受主的构成。这一成果的原因是N在热退火过程中替代为浅的施主杂质。
固源化学气相淀积法（SS-CVD）也可以用来氧化锌的N掺杂。二水醋酸锌（Zn（CH3COO）2·2H2O, solid）和（CH3COONH4, solid）别离作为固体源和N源。试验成果的样品显示出P型导电性，空穴浓度为9.8×1017 cm?3，电阻率20Ωcm，空穴迁移率0.97cm2 /V s。
虽然上面报道说现已成功的获得了N掺杂的氧化锌薄膜，但也有相当多的报道，作者没有可以重复这些成果，即便选用相同的成长方式，相同的成长条件和相同的N源。因而，即便以为该陈述的成果表明是真实的p型氧化锌，重现这些成果仍是一个大问题，而且这个问题必须得在氧化锌应用于光电子学，如同质结LED和激光二极管（LDs）之前处理。最后，这个问题至少比及高效率注入的ZnO的p - n结才干处理。
固源化学气相淀积法（SS-CVD）也可以用来氧化锌的N掺杂。二水醋酸锌（Zn（CH3COO）2·2H2O, solid）和（CH3COONH4, solid）别离作为固体源和N源。试验成果的样品显示出P型导电性，空穴浓度为9.8×1017 cm?3，电阻率20Ωcm，空穴迁移率0.97cm2 /V s。
虽然上面报道说现已成功的获得了N掺杂的氧化锌薄膜，但也有相当多的报道，作者没有可以重复这些成果，即便选用相同的成长方式，相同的成长条件和相同的N源。因而，即便以为该陈述的成果表明是真实的p型氧化锌，重现这些成果仍是一个大问题，而且这个问题必须得在氧化锌应用于光电子学，如同质结LED和激光二极管（LDs）之前处理。最后，这个问题至少比及高效率注入的ZnO的p - n结才干处理。
